Número de Producto del Fabricante:
FQD4P40TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQD4P40TM-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 400 V 2.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12837248
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQD4P40TM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1Ohm @ 1.35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
680 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FQD4P40
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FQD4P40TMCT
FQD4P40TMTR
FQD4P40TMDKR
FQD4P40TM-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDMB668P
MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
FQB34P10TM
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
FDP3205
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
