FDMB668P
Número de Producto del Fabricante:

FDMB668P

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDMB668P-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 6.1A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

Inventario:

12837249
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FDMB668P Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 6.1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2085 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Número de producto base
FDMB66

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDMB668PTR
FDMB668PCT
FDMB668PDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
PMPB33XP,115
FABRICANTE
NXP USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
31498
NÚMERO DE PIEZA
PMPB33XP,115-DG
PRECIO UNITARIO
0.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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