Número de Producto del Fabricante:
FQA9N90-F109
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQA9N90-F109-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 8.6A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
12930668
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ENVIAR
FQA9N90-F109 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FQA9
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Otros nombres
2832-FQA9N90-F109-488
2156-FQA9N90-F109-OS
FQA9N90_F109
ONSONSFQA9N90-F109
FQA9N90_F109-DG
2832-FQA9N90-F109
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
2SK1317-E
FABRICANTE
Renesas Electronics Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
5608
NÚMERO DE PIEZA
2SK1317-E-DG
PRECIO UNITARIO
3.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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