FDMC86262P
Número de Producto del Fabricante:

FDMC86262P

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDMC86262P-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Descripción Detallada:
P-Channel 150 V 2A (Ta), 8.4A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Inventario:

7374 Pcs Nuevos Originales En Stock
12930675
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDMC86262P Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta), 8.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
307mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
885 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-MLP (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Número de producto base
FDMC86262

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDMC86262PDKR
FDMC86262PTR
2156-FDMC86262P-OS
FDMC86262PCT
ONSONSFDMC86262P

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FQB5P20TM

MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK

onsemi

FDD14AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA

onsemi

NIF9N05CLT1G

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

stmicroelectronics

STL7LN65K5AG

MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT VHV