Número de Producto del Fabricante:
FCP190N65S3R0
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCP190N65S3R0-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12837547
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ENVIAR
FCP190N65S3R0 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1.7mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
144W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FCP190
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
488-FCP190N65S3R0TR
488-FCP190N65S3R0CT
488-FCP190N65S3R0DKRINACTIVE
FCP190N65S3R0-DG
488-FCP190N65S3R0DKR-DG
488-FCP190N65S3R0DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFP22N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFP22N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
2.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
512
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
1.75
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
499
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
1.23
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
105
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
1.48
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CANTIDAD DISPONIBLE
425
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PRECIO UNITARIO
1.31
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