Número de Producto del Fabricante:
FQP7N65C
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQP7N65C-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12837553
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ENVIAR
FQP7N65C Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1245 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FQP7
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP9NK65Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STP9NK65Z-DG
PRECIO UNITARIO
1.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STP5N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
33
NÚMERO DE PIEZA
STP5N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STP5N80K5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
717
NÚMERO DE PIEZA
STP5N80K5-DG
PRECIO UNITARIO
0.67
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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