Número de Producto del Fabricante:
C3M0015065D
Product Overview
Fabricante:
Wolfspeed, Inc.
Número de pieza:
C3M0015065D-DG
Descripción:
SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 120A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
912 Pcs Nuevos Originales En Stock
12939808
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ENVIAR
C3M0015065D Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Wolfspeed
Embalaje
Tube
Serie
C3M™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
21mOhm @ 55.8A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
3.6V @ 15.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
188 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+15V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5011 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
416W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
C3M0015065
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
1697-C3M0015065D-M-DG
1697-C3M0015065D-M
-3312-C3M0015065D-M-DG
1697-C3M0015065D
C3M0015065D-M
-3312-C3M0015065D-M
-3312-C3M0015065D
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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