Número de Producto del Fabricante:
IRLD024PBF
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRLD024PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventario:
1136 Pcs Nuevos Originales En Stock
13053827
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRLD024PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 1.5A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
870 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
4-HVMDIP
Paquete / Caja
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de producto base
IRLD024
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
100
Otros nombres
*IRLD024PBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFP9140
MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3
IRF9Z10
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
IRFB17N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB