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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IRF9Z14LPBF
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRF9Z14LPBF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
13048953
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ENVIAR
IRF9Z14LPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
270 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IRF9Z14
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IRF9Z14LPBF
Hoja de datos HTML
IRF9Z14LPBF-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
*IRF9Z14LPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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