Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Spain
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Spain
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
República Democrática del Congo
Argentina
Turquía
Rumania
Lituania
Noruega
Austria
Angola
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Bielorrusia
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Montenegro
Ruso
Bélgica
Suecia
Serbia
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Moldavia
Alemania
Países Bajos
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
Francia
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Portugal
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
España
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
SQD97N06-6M3L_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQD97N06-6M3L_GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 97A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
398 Pcs Nuevos Originales En Stock
12787154
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SQD97N06-6M3L_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
97A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6060 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SQD97
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SQD97N06-6M3L_GE3
Hoja de datos HTML
SQD97N06-6M3L_GE3-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SQD97N06-6M3L_GE3TR
SQD97N06-6M3L_GE3-DG
SQD97N06-6M3L_GE3CT
SQD97N06-6M3L-GE3
SQD97N06-6M3L_GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD90N06S4L06ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3430
NÚMERO DE PIEZA
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
PRECIO UNITARIO
0.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SQR97N06-6M3L_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1994
NÚMERO DE PIEZA
SQR97N06-6M3L_GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIHP25N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
SIHD6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
SUP85N10-10P-GE3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
SQJA06EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8