Número de Producto del Fabricante:
TTA008B,Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TTA008B,Q-DG
Descripción:
PB-F POWER TRANSISTOR TO-126 PC=
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 2 A 100MHz 1.5 W Through Hole TO-126N
Inventario:
112 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988717
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ENVIAR
TTA008B,Q Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tray
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
2 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
80 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 500mA, 2V
Potencia - Máx.
1.5 W
Frecuencia - Transición
100MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-225AA, TO-126-3
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-126N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
250
Otros nombres
264-TTA008B,Q-DG
264-TTA008B,Q
264-TTA008BQ
264-TTA008BQ-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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