Número de Producto del Fabricante:
TK14A65W,S5X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK14A65W,S5X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
19 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890663
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
OD57
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK14A65W,S5X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 690µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TK14A65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK14A65W,S5X-DG
TK14A65WS5X
TK14A65W,S5X(M
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCPF260N60E
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
190
NÚMERO DE PIEZA
FCPF260N60E-DG
PRECIO UNITARIO
1.76
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
SSM3J120TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
SSM3J132TU,LF
MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
TPH2R506PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
