Número de Producto del Fabricante:
SSM6K403TU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6K403TU,LF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6
Inventario:
29310 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889428
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Cantidad
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ENVIAR
SSM6K403TU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIII
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
28mOhm @ 3A, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16.8 nC @ 4 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1050 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
UF6
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Número de producto base
SSM6K403
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM6K403TULF(BDKR-DG
SSM6K403TULFTR
SSM6K403TULF(BTR
SSM6K403TULFCT
SSM6K403TULF(BCT-DG
SSM6K403TULF(BDKR
SSM6K403TU,LF(B
SSM6K403TULF(BTR-DG
SSM6K403TULF(BCT
SSM6K403TULFDKR
SSM6K403TU,LF(T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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