RN1706JE(TE85L,F)
Número de Producto del Fabricante:

RN1706JE(TE85L,F)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

RN1706JE(TE85L,F)-DG

Descripción:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV

Inventario:

12891281
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RN1706JE(TE85L,F) Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
4.7kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
250MHz
Potencia - Máx.
100mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-553
Paquete de dispositivos del proveedor
ESV
Número de producto base
RN1706

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
RN1706JE(TE85LF)DKR
RN1706JE(TE85LF)CT
RN1706JE(TE85LF)TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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