Número de Producto del Fabricante:
RN1706JE(TE85L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN1706JE(TE85L,F)-DG
Descripción:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventario:
12891281
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
x4oZ
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
RN1706JE(TE85L,F) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
4.7kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
250MHz
Potencia - Máx.
100mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-553
Paquete de dispositivos del proveedor
ESV
Número de producto base
RN1706
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
RN1706JE(TE85LF)DKR
RN1706JE(TE85LF)CT
RN1706JE(TE85LF)TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
RN1601(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN2909,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
RN1610(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
