Número de Producto del Fabricante:
HN4B01JE(TE85L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
HN4B01JE(TE85L,F)-DG
Descripción:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventario:
3440 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891278
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9V4H
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ENVIAR
HN4B01JE(TE85L,F) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de transistores bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN, PNP (Emitter Coupled)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
150mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Potencia - Máx.
100mW
Frecuencia - Transición
80MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-553
Paquete de dispositivos del proveedor
ESV
Número de producto base
HN4B01
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
HN4B01JETE85LF
HN4B01JE(TE85LF)TR
HN4B01JE(TE85LF)DKR
HN4B01JE (TE85L,F)
HN4B01JE(TE85LF)CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FMY1AT148
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
175
NÚMERO DE PIEZA
FMY1AT148-DG
PRECIO UNITARIO
0.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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