Número de Producto del Fabricante:

TSM80N1R2CI

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM80N1R2CI-DG

Descripción:

800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

Descripción Detallada:

N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12998598

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

TSM80N1R2CI Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Taiwan Semiconductor

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

800 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

5.5A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

1.2Ohm @ 1.8A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

19.4 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

685 pF @ 100 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

ITO-220

Paquete / Caja

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Número de producto base

TSM80

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

4,000

Otros nombres

1801-TSM80N1R2CI

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

TSM052NB03CR

30V, 90A, SINGLE N-CHANNEL POWE

vishay-siliconix

SI2328DS-T1-BE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI2377EDS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

TSM4NB60CI

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER