Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Spain
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Spain
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
República Democrática del Congo
Argentina
Turquía
Rumania
Lituania
Noruega
Austria
Angola
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Bielorrusia
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Montenegro
Ruso
Bélgica
Suecia
Serbia
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Moldavia
Alemania
Países Bajos
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
Francia
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Portugal
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
España
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
TSM80N1R2CI
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM80N1R2CI-DG
Descripción:
800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12998598
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TSM80N1R2CI Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
685 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
TSM80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
TSM80N1R2CI
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
1801-TSM80N1R2CI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TSM052NB03CR
30V, 90A, SINGLE N-CHANNEL POWE
SI2328DS-T1-BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
SI2377EDS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
TSM4NB60CI
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER