STW25N60M2-EP
Número de Producto del Fabricante:

STW25N60M2-EP

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STW25N60M2-EP-DG

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventario:

600 Pcs Nuevos Originales En Stock
12876069
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STW25N60M2-EP Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ M2-EP
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
188mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.75V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1090 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STW25

Información Adicional

Paquete Estándar
600
Otros nombres
STW25N60M2-EP-DG
497-STW25N60M2-EP

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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