Número de Producto del Fabricante:
STD4NK80Z-1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STD4NK80Z-1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
4630 Pcs Nuevos Originales En Stock
12873224
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STD4NK80Z-1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
SuperMESH™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
575 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
STD4NK80
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
STD4NK80Z1
STD4NK80Z-1-DG
497-12560-5
497-12560-5-DG
497-STD4NK80Z-1
-1138-STD4NK80Z-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
STB34N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
STU27N3LH5
MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
STP120N4F6
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
