2SK536-TB-E
Número de Producto del Fabricante:

2SK536-TB-E

Product Overview

Fabricante:

Sanyo

Número de pieza:

2SK536-TB-E-DG

Descripción:

N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
Descripción Detallada:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount 3-CP

Inventario:

3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946019
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2SK536-TB-E Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
50 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20Ohm @ 10mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
3-CP
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
2SK536-TB-E Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
1,411
Otros nombres
2156-2SK536-TB-E
ONSSNY2SK536-TB-E

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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