Número de Producto del Fabricante:
2SD1803S-E
Product Overview
Fabricante:
Sanyo
Número de pieza:
2SD1803S-E-DG
Descripción:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 180MHz 1 W Through Hole IPAK/TP
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946092
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2SD1803S-E Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
5 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
400mV @ 150mA, 3A
Corriente - Corte del colector (máx.)
1µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
140 @ 500mA, 2V
Potencia - Máx.
1 W
Frecuencia - Transición
180MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK/TP
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
461
Otros nombres
2156-2SD1803S-E
ONSONS2SD1803S-E
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificación DIGI
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