Número de Producto del Fabricante:
2SA1404E
Product Overview
Fabricante:
Sanyo
Número de pieza:
2SA1404E-DG
Descripción:
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 200 mA 500MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Inventario:
2794 Pcs Nuevos Originales En Stock
12940495
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
2SA1404E Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
200 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
120 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 10mA, 10V
Potencia - Máx.
1.2 W
Frecuencia - Transición
500MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-225AA, TO-126-3
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-126
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
398
Otros nombres
ONSSNY2SA1404E
2156-2SA1404E
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
Productos relacionados
2SC2274E-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SA1973-5-TB-E-ON
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SA673AB-E
0.5A, 50V, PNP