Número de Producto del Fabricante:
RP1E090XNTCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RP1E090XNTCR-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Inventario:
13524340
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ENVIAR
RP1E090XNTCR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
440 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
MPT6
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Número de producto base
RP1E090
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
RP1E090XNTCRCT
RP1E090XNTCRDKR
RP1E090XNTCRTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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