Número de Producto del Fabricante:
RCX080N25
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RCX080N25-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 8A (Tc) 2.23W (Ta), 35W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
246 Pcs Nuevos Originales En Stock
13527123
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ENVIAR
RCX080N25 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
840 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.23W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
RCX080
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Documentos de confiabilidad
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
RCX080N25CT
RCX080N25CT-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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