Número de Producto del Fabricante:
R6061YNXC7G
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6061YNXC7G-DG
Descripción:
NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13238773
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ENVIAR
R6061YNXC7G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V, 12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 13A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 3.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3700 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
846-R6061YNXC7G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Certificación DIGI
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