Número de Producto del Fabricante:
QS8J2TR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
QS8J2TR-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Inventario:
7544 Pcs Nuevos Originales En Stock
13526045
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ENVIAR
QS8J2TR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
36mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1940pF @ 6V
Potencia - Máx.
550mW
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos del proveedor
TSMT8
Número de producto base
QS8J2
Hoja de Datos y Documentos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
846-QS8J2TR
QS8J2TR-ND
846-QS8J2CT
846-QS8J2DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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