Número de Producto del Fabricante:
HS8K1TB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
HS8K1TB-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HSML3030L10
Inventario:
10480 Pcs Nuevos Originales En Stock
13524957
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ENVIAR
HS8K1TB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta), 11A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Potencia - Máx.
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
HSML3030L10
Número de producto base
HS8K1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
HS8K1TBCT
HS8K1TBDKR
HS8K1TBTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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