DTD114ESTP
Número de Producto del Fabricante:

DTD114ESTP

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

DTD114ESTP-DG

Descripción:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW Through Hole SPT

Inventario:

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DTD114ESTP Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
500 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
10 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
10 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
56 @ 50mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
200 MHz
Potencia - Máx.
300 mW
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
SC-72 Formed Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
SPT
Número de producto base
DTD114

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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