Número de Producto del Fabricante:
2SK1341-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
2SK1341-E-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 6A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12861393
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ENVIAR
2SK1341-E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
980 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
2SK1341
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFH12N90P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
1289
NÚMERO DE PIEZA
IXFH12N90P-DG
PRECIO UNITARIO
5.21
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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