NVR1P02T1G
Número de Producto del Fabricante:

NVR1P02T1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NVR1P02T1G-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventario:

5951 Pcs Nuevos Originales En Stock
12856917
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

NVR1P02T1G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
165 pF @ 5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
NVR1P02

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
NVR1P02T1G-DG
NVR1P02T1GOSDKR
NVR1P02T1GOSCT
NVR1P02T1GOSTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

NTR1P02T3

MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3

renesas-electronics-america

RJK0452DPB-00#J5

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

renesas-electronics-america

RJK5020DPK-00#T0

MOSFET N-CH 500V 40A TO3P

onsemi

RFD15P05SM

MOSFET P-CH 50V 15A TO252AA