NVMD4N03R2G
Número de Producto del Fabricante:

NVMD4N03R2G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NVMD4N03R2G-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

2456 Pcs Nuevos Originales En Stock
12924750
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NVMD4N03R2G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400pF @ 20V
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
NVMD4

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
NVMD4N03R2G-DG
488-NVMD4N03R2GCT
488-NVMD4N03R2GTR
488-NVMD4N03R2GDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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