Número de Producto del Fabricante:
NTQS6463R2
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTQS6463R2-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 6.8A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventario:
12858478
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ENVIAR
NTQS6463R2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 6.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
930mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSSOP
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número de producto base
NTQS64
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
NTQS6463R2OS
ONSONSNTQS6463R2
2156-NTQS6463R2-ONTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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