NTMFD4C86NT1G

Número de Producto del Fabricante:

NTMFD4C86NT1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTMFD4C86NT1G-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN

Descripción Detallada:

Mosfet Array 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12847842

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NTMFD4C86NT1G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Configuración

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Función FET

-

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

11.3A, 18.1A

rds activados (máx.) @ id, vgs

5.4mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

22.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1153pF @ 15V

Potencia - Máx.

1.1W

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Caja

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivos del proveedor

8-DFN (5x6)

Número de producto base

NTMFD4

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

NTMFD4C86NT1G-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

1,500

Otros nombres

ONSONSNTMFD4C86NT1G

NTMFD4C86NT1GOSCT

NTMFD4C86NT1GOSTR

NTMFD4C86NT1GOSDKR

NTMFD4C86NT1G-DG

2156-NTMFD4C86NT1G-ONTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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