Número de Producto del Fabricante:
NTMD2C02R2G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTMD2C02R2G-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 5.2A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12857787
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ENVIAR
NTMD2C02R2G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.2A, 3.4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
43mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100pF @ 10V
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
NTMD2C
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
2156-NTMD2C02R2G-ONTR
ONSONSNTMD2C02R2G
NTMD2C02R2GOS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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