Número de Producto del Fabricante:
NTHS4101PT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTHS4101PT1G-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 4.8A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Inventario:
8830 Pcs Nuevos Originales En Stock
12860393
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ENVIAR
NTHS4101PT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.8A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
34mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2100 pF @ 16 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
ChipFET™
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
NTHS4101
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
NTHS4101PT1GOSTR
NTHS4101PT1GOSCT
NTHS4101PT1GOSDKR
NTHS4101PT1GOS
NTHS4101PT1GOS-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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