NTGS1135PT1G
Número de Producto del Fabricante:

NTGS1135PT1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTGS1135PT1G-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 8 V 4.6A (Ta) 970mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventario:

12858154
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NTGS1135PT1G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
31mOhm @ 4.6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
850mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2200 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
970mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
NTGS11

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2156-NTGS1135PT1G-ONTR
ONSONSNTGS1135PT1G

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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