NTGS1135PT1G

Número de Producto del Fabricante:

NTGS1135PT1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTGS1135PT1G-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP

Descripción Detallada:

P-Channel 8 V 4.6A (Ta) 970mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventario:

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12858154

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NTGS1135PT1G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

8 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

4.6A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

1.2V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

31mOhm @ 4.6A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id

850mV @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

21 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±6V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2200 pF @ 6 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

970mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

6-TSOP

Paquete / Caja

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Número de producto base

NTGS11

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

NTGS1135PT1G-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Otros nombres

2156-NTGS1135PT1G-ONTR

ONSONSNTGS1135PT1G

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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