NTD4813NH-1G

Número de Producto del Fabricante:

NTD4813NH-1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTD4813NH-1G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK

Descripción Detallada:

N-Channel 30 V 7.6A (Ta), 40A (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

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NTD4813NH-1G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

7.6A (Ta), 40A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 11.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

13mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

10 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

940 pF @ 12 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1.27W (Ta), 35.3W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

I-PAK

Paquete / Caja

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Número de producto base

NTD48

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

NTD4813NH-1G-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

75

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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