NTD4302-1G
Número de Producto del Fabricante:

NTD4302-1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

NTD4302-1G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

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NTD4302-1G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.4A (Ta), 68A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 24 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.04W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
NTD43

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
NTD4302

Información Adicional

Paquete Estándar
75
Otros nombres
2156-NTD4302-1G-ON
ONSONSNTD4302-1G

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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