Número de Producto del Fabricante:
NSVEMD4DXV6T1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NSVEMD4DXV6T1G-DG
Descripción:
TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563
Inventario:
13001172
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ENVIAR
NSVEMD4DXV6T1G Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
EMD
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
47kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
-
Potencia - Máx.
357mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-563
Número de producto base
NSVEMD4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
488-NSVEMD4DXV6T1GTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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