Número de Producto del Fabricante:
NDD02N60Z-1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NDD02N60Z-1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 57W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12859230
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ENVIAR
NDD02N60Z-1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.8Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
274 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
NDD02
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
NDD02N60Z-1G-DG
NDD02N60Z1G
ONSONSNDD02N60Z-1G
NDD02N60Z-1GOS
2156-NDD02N60Z-1G-ON
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD2HNK60Z-1
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
3054
NÚMERO DE PIEZA
STD2HNK60Z-1-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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