HUF76629D3ST
Número de Producto del Fabricante:

HUF76629D3ST

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

HUF76629D3ST-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

17120 Pcs Nuevos Originales En Stock
12839005
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HUF76629D3ST Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
UltraFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1285 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
HUF76629

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
HUF76629D3STTR
HUF76629D3ST-DG
HUF76629D3STCT
HUF76629D3STDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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