Número de Producto del Fabricante:
HUF75617D3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
HUF75617D3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 16A (Tc) 64W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12850360
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ENVIAR
HUF75617D3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
UltraFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
570 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
64W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
HUF75
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFU3910PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3219
NÚMERO DE PIEZA
IRFU3910PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.36
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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