Número de Producto del Fabricante:
FQT1N80TF-WS
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQT1N80TF-WS-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
Inventario:
12847036
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ENVIAR
FQT1N80TF-WS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
195 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223-3
Paquete / Caja
TO-261-3
Número de producto base
FQT1N80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
FQT1N80TF_WSTR-DG
FQT1N80TF_WSCT
FQT1N80TF-WSDKR
FQT1N80TF_WSDKR
FQT1N80TF-WSCT
FQT1N80TF_WSTR
FQT1N80TFWS
FQT1N80TF_WSDKR-DG
FQT1N80TF-WSTR
FQT1N80TF_WSCT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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