Número de Producto del Fabricante:
FQP4N25
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQP4N25-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 3.6A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12849897
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ENVIAR
FQP4N25 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.75Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FQP4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF620PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
322
NÚMERO DE PIEZA
IRF620PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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