Número de Producto del Fabricante:
FQP19N20-T
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQP19N20-T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 19.4A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12987633
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ENVIAR
FQP19N20-T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
488-FQP19N20-T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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