Número de Producto del Fabricante:
FQP17P10
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQP17P10-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 16.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12849070
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ENVIAR
FQP17P10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 8.25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FQP17
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
ONSONSFQP17P10
2156-FQP17P10-OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF9530NPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
39687
NÚMERO DE PIEZA
IRF9530NPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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