FQI11N40TU
Número de Producto del Fabricante:

FQI11N40TU

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FQI11N40TU-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 400 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventario:

12848201
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FQI11N40TU Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
480mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
FQI1

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FDP8860

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

infineon-technologies

BTS115ANKSA1

MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB

onsemi

FQP18N20V2

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3

onsemi

BS107G

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3