Número de Producto del Fabricante:
FQE10N20LCTU
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQE10N20LCTU-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126-3
Inventario:
12849223
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ENVIAR
FQE10N20LCTU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
360mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
490 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
12.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-126-3
Paquete / Caja
TO-225AA, TO-126-3
Número de producto base
FQE1
Información Adicional
Paquete Estándar
60
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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