Número de Producto del Fabricante:
FQD12N20LTM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQD12N20LTM-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
4955 Pcs Nuevos Originales En Stock
12846613
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQD12N20LTM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FQD12N20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FQD12N20LTMCT
FQD12N20LTMDKR
FQD12N20LTMTR
FQD12N20LTM-DG
2156-FQD12N20LTM-488
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDMA410NZ
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
FDB6670AS
MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
AUIRFB3806
MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
