Número de Producto del Fabricante:
FQB55N10TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQB55N10TM-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12836715
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ENVIAR
FQB55N10TM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FQB55N10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
2156-FQB55N10TM-OS
FQB55N10TMCT
FQB55N10TMTR
FQB55N10TMDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STB80NF10T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
775
NÚMERO DE PIEZA
STB80NF10T4-DG
PRECIO UNITARIO
1.46
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PRECIO UNITARIO
0.55
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PRECIO UNITARIO
0.64
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