Número de Producto del Fabricante:
FQAF11N90
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQAF11N90-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 7.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventario:
12921426
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQAF11N90 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
960mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja
TO-3P-3 Full Pack
Número de producto base
FQAF1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
360
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIR168DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
DI9952T
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
SIHA18N60E-E3
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
